臺式原子層沉積助力Lam Research--實現區域選擇性原子層沉積(AS-ALD)
2026-04-21 隨著先進半導體技術的發展對自對準和“自下而上”精準制造的需求愈發迫切,區域選擇性原子層沉積(AS-ALD)技術憑借獨特優勢,受到廣泛關注。2025年6月25日,在濟州島的國際ALD/ALE會議上,LamResearch的工程師Rachel.NyedeCastro做了區域選擇性沉積(ASD)的報告。報告主要圍繞在金屬基體上選擇性沉積電解質圖案,實現從試點生產(小的測試片)到規模化的晶圓沉積。RachelNye的報告中顯示,Lam公司試點生產線的前期啟動實驗采用了AnricTec...